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{{Tipos de memória}}

[[Image:MT4C1024-HD.jpg|thumb|right|upright=1.8|Uma fotografia de um [[Die (circuito integrado)|die]] do [[circuito integrado]] [[Micron Technology]] MT4C1024 DRAM. Ele possui uma capacidade de 1&nbsp;[[megabit]] equivalente a <math>2^{20}</math>bits ou {{nowrap|128 kB.}}
<ref name=mt4acid>{{citar web|acessodata=02-04-2016 |data=15-11-2012 |título=How to "open" microchip and what's inside? : ZeptoBars |url=http://zeptobars.com/en/read/how-to-open-microchip-asic-what-inside |citação=Micron MT4C1024 — 1 mebibit (220 bit) dynamic ram. Widely used in 286 and 386-era computers, early 90s. Die size - 8662x3969µm. |urlmorta= não|arquivourl=https://web.archive.org/web/20160314015357/http://zeptobars.com/en/read/how-to-open-microchip-asic-what-inside |arquivodata=14-03-2016 }}</ref>]]

A '''memória dinâmica de acesso aleatório''' (do inglês '''Dynamic random-access memory''', conhecido pela [[abreviatura]] '''DRAM''') é um tipo de [[memória semicondutora]] de [[Memória de acesso aleatório|acesso aleatório]] que armazena cada [[bit]] de dados em uma [[Célula de memória (computação)|célula de memória]] que consiste em um pequeno [[capacitor]] e um [[transistor]], ambos tipicamente baseados na tecnologia  [[MOSFET|metal-óxido-semicondutor]] (MOS). O capacitor pode ser carregado ou descarregado e esses dois estados são considerados para representação dos dois valores de um bit, convencionalmente chamados 0 e 1. A [[carga elétrica]] nos capacitores vaza lentamente, portanto, sem intervenção, os dados no chip logo serão perdidos.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/still-image/PENDING/X3665.2007/Semi_SIG/Notes%20from%20interview%20with%20John%20Reed.pdf</ref> Para evitar isso, a DRAM requer um circuito externo de ''[[Refrescamento|atualização de memória]]'' que reescreva periodicamente os dados nos capacitores, restaurando-os à sua carga original. Esse processo de atualização é a característica definidora da memória dinâmica de acesso aleatório, em contraste com a [[memória estática de acesso aleatório]] (SRAM), que não exige que os dados sejam atualizados. Diferentemente da [[memória flash]], a DRAM é uma [[memória volátil]] (vs. [[Armazenamento não volátil|memória não volátil]]), pois perde seus dados rapidamente quando a energia é removida. No entanto, a DRAM exibe [[remanência de dados]] limitada.

A DRAM normalmente assume a forma de um chip de [[circuito integrado]], que pode consistir em dezenas a bilhões de células de memória DRAM. Os chips DRAM são amplamente utilizados em [[eletrônica digital]], onde é necessária [[memória de computador]] de baixo custo e alta capacidade. Uma das maiores aplicações de DRAM é a ''[[memória principal]]'' (coloquialmente chamada de "RAM") em [[computadores]] e [[Placa de vídeo|placas gráficas]] modernas (onde a "memória principal" é chamada de ''memória gráfica''). Também é usado em muitos dispositivos portáteis e consoles de [[videogame]]. Por outro lado, a SRAM, que é mais rápida e mais cara que a DRAM, é normalmente usada onde a velocidade é mais preocupante que o custo e o tamanho, como as [[Cache do processador|memórias de cache]] nos [[Unidade central de processamento|processadores]].

Devido à necessidade de um sistema em executar a atualização (''refresh''), a DRAM possui requisitos de circuito e tempo mais complicados que a SRAM, mas é muito mais amplamente usada. A vantagem da DRAM é a simplicidade estrutural de suas células de memória: apenas um transistor e um capacitor são necessários por bit, em comparação com quatro ou seis transistores na SRAM.<ref name="Borucki1">Borucki, "Comparison of Accelerated DRAM Soft Error Rates Measured at Component and System Level", 46th Annual International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2008, pp. 482–487</ref> Isso permite que a DRAM atinja [[Densidade regional|densidades]] muito altas, tornando a DRAM muito mais barata por bit. Os transistores e capacitores usados são extremamente pequenos e bilhões deles podem caber em um único chip de memória.<ref name="PARHAMI, Behrooz.">PARHAMI, Behrooz. Arquitetura de computadores: de microprocessadores a supercomputadores. São Paulo: McGraw Hill, 2007. xvi, 321 p.</ref> Devido à natureza dinâmica de suas [[Célula de memória (computação)|células de memória]], a DRAM consome quantidades relativamente grandes de energia, com diferentes maneiras de gerenciar o consumo de energia.<ref>S. Mittal, "[https://www.academia.edu/2475806/A_survey_of_architectural_techniques_for_DRAM_power_management A Survey of Architectural Techniques For DRAM Power Management] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180508030406/http://www.academia.edu/2475806/A_survey_of_architectural_techniques_for_DRAM_power_management |date=08-05-2018 }}", IJHPSA, 4(2), 110-119, 2012.</ref>

A DRAM teve um aumento de 47% no preço por bit em 2017, o maior salto em 30 anos desde o salto de 45% em 1988, enquanto nos últimos anos o preço diminuiu.<ref>{{citar web|url=http://www.icinsights.com/news/bulletins/Are-The-Major-DRAM-Suppliers-Stunting-DRAM-Demand/|título=Are the Major DRAM Suppliers Stunting DRAM Demand?|citação=In the 34-year period from 1978-2012, the DRAM price-per-bit declined by an average annual rate of 33%. However, from 2012 through 2017, the average DRAM price-per-bit decline was only 3% per year.  '''''Moreover, the 47% full-year 2017 jump in the price-per-bit of DRAM was the largest annual increase since 1978, surpassing the previous high of 45% registered 30 years ago in 1988!'''''|website=www.icinsights.com|acessodata=16-04-2018|urlmorta= não|arquivourl=https://web.archive.org/web/20180416202834/http://www.icinsights.com/news/bulletins/Are-The-Major-DRAM-Suppliers-Stunting-DRAM-Demand/|arquivodata=16-04-2018}}</ref>

== Historia ==
Durante a segunda Guerra Mundial em bletchley park aonde se encontrava a “Ultra inteligência” do reino unido, foi usada uma máquina chamada cryptanalytic cujo codinome era “Aquarius” foi incorporada uma memória dinamica hard-wired. Foi usado um grande banco de capacitores, que quando carregado representa cruz (1) e um ponto (0) se descarregado. Tendo o uso do pulso periódico para que recarregar-se os capacitores quando havia o vazamento da carga.<ref name="Copeland B. Jack">Copeland B. Jack, and others (2006) Colossus: The Secrets of Bletchley Park's Codebreaking Computers Oxford: Oxford University Press, p301.</ref>

Arnold Farber e Eugene Schlig em 1964, enquanto trabalhavam para IBM criaram uma célula de memória hard-wired, usando uma porta do transistor e diodo túnel trinco, substituíram a trava por dois transistores e duas resistências que ficou conhecido como céluala-farber schilig. No ano de 1965 Benjamin Agusta juntamente com sua equipe da IBM projetaram e criaram um chip de memória de silício de 16 bits tendo como base a configuração de célula-Farber Schlig com 80 transistores, 64 resistores e quatro diodos. No ano seguinte em 1966 a primeira DRAM foi inventada pelo Dr Robert Dennard no IBM&nbsp;Thomas J. Watson Research Center que foi-lhe concebido patente dos EUA número 3.387.286 em 1968.<ref name="Spec Sheet for Toshiba">Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411</ref>

== Características ==
DRAM é feita normalmente em uma matriz retangular de células onde armazenam cargas, montados por um condensador e o transistor por bit de dados. Há várias filas horizontais longas que se ligam as linhas são chamadas por linhas de texto. A cada coluna de células e construída por duas linhas de bits, cada um ligado a todas as outras células de armazenamento na coluna.<ref name="UNICSMP">http://www.demic.fee.unicamp.br/~elnatan/ee610/12a%20Aula.pdf</ref>

Até o final dos anos 80, a memória DRAM era feita com o encapsulamento DIP, que tinha que ser encaixada na placa-mãe. Logo depois surgiu o encapsulamento SIPP, que deu lugar, por sua vez, ao encapsulamento
SIMM. Com o SIPP (Single In-Line Pin Package), surgiu o que é chamado módulos de memória, que eram vários chips de DRAM numa fileira de terminais que se encaixavam num soquete. Esse tipo de encapsulamento foi bastante usado até o início dos anos 90. Visualmente, pode ser uma mistura do que é o DIP e o SIMM. Existem chips de memória com 1, 4, 8, 9, 32 ou 36 bits.
O SIMM surgiu por volta de1992 e, até hoje, os chips de memória que compõem as placas adaptadoras são do tipo DIP (Dual In-Line Package). Entre 1992 e 1994, usou-se muito os módulos de memória SIMM pequenos, de 30 pinos. Colocar 4MB significa adquirir 4 módulos de 1MB e colocar no BANK0.<ref name="bate byte">http://www.batebyte.pr.gov.br/modules/conteudo/conteudo.php?conteudo=1839</ref>

{{Referências}}

{{DRAM}}
{{IBM}}

[[Categoria:Memórias de computador]]
[[Categoria:Memórias DRAM]]
[[Categoria:Invenções dos Estados Unidos]]
[[Categoria:Invenções do Japão]]
[[Categoria:História do hardware]]
{{título em itálico}}