Mostrar código-fonte de Mobilidade (Física)

{{Ver desambig| este=a mobilidade de [[elétron]]s e [[buraco (semicondutores)|buracos]] em metais e [[semicondutor]]es| o conceito geral|mobilidade elétrica}}

'''Mobilidade''' é a  velocidade adquirida por um transportador de [[carga elétrica]] sob a ação de um [[campo elétrico]] unitário. 

Em [[Física do estado sólido]], a '''mobilidade do elétron''' caracteriza a rapidez com que um  [[elétron]] pode se mover através de um  [[metal]] ou [[semicondutor]], quando  submetido a  um [[campo elétrico]]. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para [[Buraco (semicondutores)|buracos]], denominado '''mobilidade do buraco'''. A expressão  '''mobilidade do portador [de carga elétrica]''' refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em  semicondutores.

Mobilidade do elétron e mobilidade do buraco são casos especiais de  [[mobilidade elétrica]] de partículas carregadas, em um [[fluido]] submetido a um campo elétrico.

Quando um campo elétrico ''E'' é aplicado a uma peça de material, os elétrons respondem movendo-se a uma velocidade média chamada [[velocidade de deriva]], <math>\, v_d</math>. 

Portanto a mobilidade do elétron '''μ''' é definida como: 


:<math>\,v_d = \mu E</math>



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{{Tradução/ref|en|Electron mobility|698325145}}
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<!-- Electron mobility is almost always specified in units of [[square centimetre|cm<sup>2</sup>]]/([[volt|V]]·[[second|s]]). This is different from the [[SI]] unit of mobility, [[square metre|m<sup>2</sup>]]/([[volt|V]]·[[second|s]]). They are related by 1m<sup>2</sup>/(V·s) = 10<sup>4</sup>cm<sup>2</sup>/(V·s).

[[Electrical conductivity|Conductivity]] is proportional to the product of mobility and carrier concentration. For example, the same conductivity could come from a small number of electrons with high mobility for each, or a large number of electrons with a small mobility for each. For metals, it would not typically matter which of these is the case, since most metal electrical behavior depends on conductivity alone. Therefore mobility is relatively unimportant in metal physics. On the other hand, for semiconductors, the behavior of [[transistor]]s and other devices can be very different depending on whether there are many electrons with low mobility or few electrons with high mobility. Therefore mobility is a very important parameter for semiconductor materials. Almost always, higher mobility leads to better device performance, with other things equal.

Semiconductor mobility depends on the impurity concentrations (including donor and acceptor concentrations), defect concentration, temperature, and electron and hole concentrations. It also depends on the electric field, particularly at high fields when [[velocity saturation]] occurs. It can be determined by the [[Hall effect]], or inferred from transistor behavior.
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[[Categoria:Semicondutores]]