Mostrar código-fonte de Walter Schottky

{{Mais notas|data=julho de 2020}}
{{Info/Biografia/Wikidata
|nome                =Walter Schottky
|imagem              =Walter Hermann Schottky (1886-1976).jpg
|data_nascimento     ={{dni|23|7|1886|si}}
|local_nascimento    =[[Zurique]]
|data_morte          ={{morte|4|3|1976|23|7|1886}}
|local_morte         =[[Forchheim (Oberfranken)|Forchheim]]
|pais_de_residencia  =[[Alemanha]]
|nacionalidade       =[[Alemães|alemão]]
|campo               =[[física]] e [[engenharia eletrônica]]
|instituicao_trabalho={{nowrap|[[Universidade Friedrich Schiller de Jena]]}}, {{nowrap|[[Universidade de Würzburgo]]}}, {{nowrap|[[Universidade de Rostock]]}}, {{nowrap|[[Siemens AG]]}}
|alma_mater          ={{nowrap|[[Universidade Humboldt de Berlim]]}}
|tese                =1912: ''Zur relativtheoretischen Energetik und Dynamik''
|orientador          =[[Max Planck]] e [[Heinrich Rubens]]<ref>{{MathGenealogy|id=55830}}</ref>
|premio              ={{nowrap|[[Medalha Hughes]] (1936)}}, {{nowrap|[[Anel Werner von Siemens]] (1964)}}
}}
'''Walter Hermann Schottky''' ([[Zurique]], [[Suíça]], {{dtlink|23|7|1886}} — [[Pretzfeld]], [[Alemanha Ocidental]], {{dtlink|4|3|1976}}) foi um [[físico]] [[Alemães|alemão]].

Contribuiu para o desenvolvimento inicial da teoria dos fenômenos de emissão de [[elétrons]] e [[íons]], inventou a [[tela-grade]] do [[tubo de vácuo]] em 1915 e o [[pêntodo]] em 1919 enquanto trabalhava na [[Siemens]], e mais tarde fez muitas contribuições significativas nas áreas de dispositivos semicondutores, [[física]] e da [[tecnologia]].

==Educação==
Graduado na Academia Steglitz, [[Berlim]], [[Alemanha]] em 1904. Obteve o bacharelado em [[física]], na [[Universidade de Berlim]], em 1908. Obteve um [[Doutoramento|doutorado]] em física na [[Universidade de Berlim]] em 1912, orientado por [[Max Planck]] e [[Heinrich Rubens]], com a tese ''Relativtheoretischen Zur Energetik und Dynamik''.

==Carreira==
Seu período de pós-doutorado transcorreu na [[Universidade de Jena]] (1912-1914). Em seguida, lecionou na [[Universidade de Würzburg]] (1919-1923). Foi professor de física teórica na [[Universidade de Rostock]] (1923-1927). Durante dois períodos trabalhou em laboratórios de investigação da Siemens (1914-191] e 1927-1958).
==Principais realizações==
Possivelmente, em retrospecto, importante científica mais realização Schottky foi desenvolver (em 1914), a conhecida clássica fórmula bem, agora escrito '''- q 2 / 16π ε 0 x''', para a energia de interação entre um ponto de carga '''q''' e um apartamento em metal de superfície, quando a carga está a uma distância '''x''' da superfície. Devido ao método de sua derivação, essa interação é chamada energia de imagem "potencial". Schottky baseou seu trabalho em trabalho anterior por Lord Kelvin PE relativas à imagem de uma esfera. A imagem da PE Schottky se tornou um componente padrão em modelos simples de barreira ao movimento, M (x), vivida por um elétron em abordar um metal ou uma superfície de metal - de semicondutores interface do interior. (Esta M (x) é a quantidade que aparece quando o one-dimensional, uma partícula, equação de Schrödinger é escrita na forma

:<math>\frac{d^2}{dx^2} \Psi(x) = \frac{2m}{\hbar^2} M(x) \Psi(x) .</math>

Aqui, é a [[constante de Planck]] dividida por 2π, m e é a massa do elétron). O PE da imagem é geralmente combinado com termos relacionados a uma aplicação de campo elétrico F e da altura h (na ausência de qualquer campo) da barreira. Isso leva à seguinte expressão para a dependência da energia barreira da distância x, medida a partir do eléctrico de superfície "do metal, no vácuo ou no de semicondutores:

:<math> M(x) = \; h -eFx - e^2/4 \pi \epsilon_0 \epsilon_r x \;. </math>

Aqui, e é a carga elementar positiva, ε 0 é a constante elétrica ε r e é a permissividade relativa do meio segundo (= 1 para o vácuo ). No caso de uma junção semicondutor-metal, isso é chamado de [[barreira Schottky]], no caso do vácuo interface metal, isto é às vezes chamado de -Nordheim barreira Schottky. Em muitos contextos, h tem que ser tomado igual ao local de trabalho da função φ.

Esta [[barreira Schottky-Nordheim]] (barreira SN) tem desempenhado importante papel na teorias de emissão termiônica e de emissão de elétrons de campo. Aplicando o campo faz baixar da barreira e, portanto, aumenta a emissão atual de emissão termiônica. Este é o chamado " efeito Schottky ", e o regime de emissão resultante é chamado de" emissão Schottky ".

Em 1923 Schottky sugeriu (incorretamente) que o fenômeno experimental chamado então de emissão autoelectronic e agora chamado de emissão eletrônica de campo resultaram quando a barreira foi puxado para baixo a zero. Na verdade, o efeito é devido a mecânica de tunelamento onda, como mostrado por Fowler e Nordheim em 1928. Mas a barreira SN agora se tornou o modelo para a barreira de tunelamento.

Mais tarde, no contexto de dispositivos semicondutores, foi sugerido que uma barreira semelhante deve existir a junção de um metal e um semicondutor. Essas barreiras são hoje conhecidas como barreiras Schottky, e considerações se aplicam à transferência de elétrons através deles que são análogas às considerações mais de como os elétrons são emitidos a partir de um metal em vácuo. (Basicamente, existem diversos regimes de emissão, para diferentes combinações de temperatura e campo. Os diferentes regimes são regulados por fórmulas aproximadas diferentes).

Quando o comportamento do conjunto dessas interfaces é examinada, verificou-se que eles possam agir (assimétrica), como uma forma especial de diodo eletrônico, agora chamado de diodo Schottky. Neste contexto, a junção do semicondutor-metal é conhecido como um " Schottky (rectificação) de contacto. 

Na superfície da ciência eletrônica / emissão e, em teoria, dispositivos de semicondutores, formam agora um significativo e generalizado parte do fundo para esses assuntos. Ele poderia ser argumentado que - talvez porque eles estão na área de Física técnico - que não são geralmente bem conhecidos como deveriam ser.

==Prêmios==
Foi condecorado pela [[Royal Society]] com a [[Medalha Hughes]] em 1936, por sua descoberta do efeito Schrot (espontânea variações na corrente de alto vácuo, tubos de descarga, chamada por ele Schrot o "efeito": literalmente, o "pequeno efeito shot") em thermionic emissão e sua invenção da grade tetrode-screen e um superheterodyne método de receber sinais wireless. 

Em 1964 recebeu o Werner-von-Siemens-Ring honrar seu trabalho solo, quebrando a compreensão de muitos fenômenos físicos que levaram muitos importantes aparelhos técnicos, entre eles amplificadores valvulados e semicondutores.

==Pessoal==
Filho do matemático [[Friedrich Schottky]] (1851-1935). Sua esposa era Isabel e tinham uma filha e dois filhos. Seu pai foi nomeado professor de matemática na [[Universidade de Zurique]] em 1882, e ele nasceu quatro anos depois. A família então se mudou para a [[Alemanha]] em 1892, onde seu pai assumiu um cargo na [[Universidade de Marburg]].

==Obras==
*Thermodynamik, Julius Springer, Berlim, Alemanha, 1929. 
*Der Physik Glühelektroden, Verlagsgesellschaft Akademische, Leipzig, 1928.

{{Referências}}

==Ligações externas==
*[http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/kap_2/advanced/t2_1_3.html Walter Schottky]
*[https://www.webcitation.org/5knbV1opI?url=http://www.geocities.com/bioelectrochemistry/schottky.htm Biography of Walter H. Schottky]
*[http://www.wsi.tum.de/ Walter Schottky Institut]
*{{PND|118759183}}
*[https://web.archive.org/web/20090120102410/http://gnt-verlag.de/de/?id=88 Reinhard W. Serchinger: Walter Schottky – Atomtheoretiker und Elektrotechniker.] Sein Leben und Werk bis ins Jahr 1941. Diepholz; Stuttgart; Berlin: GNT-Verlag, 2008.
*[http://www.nndb.com/people/438/000172919/ Schottky's nndb profile]
*[http://genealogy.math.ndsu.nodak.edu/id.php?id=55830 Schottky's math genealogy]


{{Começa caixa}}
{{Caixa de sucessão
|título=[[Medalha Hughes]]
|anos=1936
|antes={{nowrap|[[Clinton Davisson]]}}
|depois={{nowrap|[[Ernest Lawrence]]}}
}}
{{Termina caixa}}


{{Medalha Hughes}}
{{Esboço-cientista}}

{{Controle de autoridade}}

{{DEFAULTSORT:Schottky, Walter Hermann}}
[[Categoria:Físicos da Alemanha]]
[[Categoria:Anel Werner von Siemens]]
[[Categoria:Medalha Hughes]]
[[Categoria:Doutores honoris causa da Universidade Técnica de Darmstadt]]
[[Categoria:Professores da Universidade de Rostock]]
[[Categoria:Inventores]]